Réalisez un ampli Buzquito, Mosquito ou Grand Mos
Réalisez un ampli Buzquito, Mosquito ou Grand Mos
•Le Buzquito et le Mosquito.
Les amateurs en électronique envisagent souvent de fabriquer leur propre amplificateur audio, que ce soit pour l'expérience ou la qualité. J'ai conçu sur EasyEDA un circuit imprimé qui permet de fabriquer au choix l'un des amplificateurs suivants :
•Le Buzquito, utilisant les paires BUZ900DP et BUZ905DP de chez Magnatec, une société du groupe SEMELAB.
•Le Mosquito, utilisant les paires 2SK1058 et 2SJ162 de chez HITACHI.
•Le Grand Mos, un amplificateur commercialisé par Selectronic, qui est une version améliorée du Mosquito.
Les schémas des amplificateurs mentionnés ci-dessus ont été créés par Jean-Marc Plantefève.
•Le Grand Mos
Le Grand Mos est une version du Mosquito commercialisé par Selectronic le schéma à été légèrement modifié ainsi que différentes valeurs de composants.
•Présentation du Grand Mos par Selectronic.
•Notice de montage du Grand Mos par Selectronic.
•Article de la revue HAUTE FIDELITE sur le Grand Mos.
•Article de la revue PrestigeAudioVideo sur le Grand Mos.
•Article de la revue du Son et du Home Cinema n°246 novembre 2000 sur le Grand Mos.
•Article de la revue du Son et du Home Cinema n°247 décembre 2000 sur le Grand Mos.
•Schéma du Grand Mos :
Le schéma ci-dessous est un amplificateur audio de classe AB, il utilise en sortie un push–pull constitué de MOS FET de 100W de chez HITACHI.
•Nomenclature des composants pour la réalisation d'un amplificateur Grand Mos :
Je vous conseille, avant même d'acheter le circuit imprimé que je vous propose, d'acquérir l'intégralité des composants électroniques.
| ID | Valeur | Complément | |
|---|---|---|---|
| R1 | 332Ω | MSR25 à couche métallique ±1% ¼Watts | |
| R2 | 15KΩ | MSR25 à couche métallique ±1% ¼Watts | |
| R3 | 1,5KΩ | MSR25 à couche métallique ±1% ¼Watts | |
| R4 | 1,5KΩ | MSR25 à couche métallique ±1% ¼Watts | |
| R5 | 3,3kΩ | PR02 à couche métallique ±5% 3W | |
| R6 | 3,3kΩ | PR02 à couche métallique ±5% 3W | |
| R9 | 100Ω | MSR25 à couche métallique ±1% ¼Watts | |
| R10 | 100Ω | MSR25 à couche métallique ±1% ¼Watts | |
| R11 | 56,2Ω | MSR25 à couche métallique ±1% ¼Watts | |
| R12 | 56,2Ω | MSR25 à couche métallique ±1% ¼Watts | |
| R13 | 10kΩ | MSR25 à couche métallique ±1% ¼Watts | |
| R14 | 47Ω | MSR25 à couche métallique ±1% ¼Watts | |
| R14' | 47Ω | MSR25 à couche métallique ±1% ¼Watts | |
| R15 | 499Ω | MSR25 à couche métallique ±1% ¼Watts | |
| R16 | 499Ω | MSR25 à couche métallique ±1% ¼Watts | |
| R17 | 499Ω | MSR25 à couche métallique ±1% ¼Watts | |
| R18 | 499Ω | MSR25 à couche métallique ±1% ¼Watts | |
| R19 | 499Ω | MSR25 à couche métallique ±1% ¼Watts | |
| R20 | 499Ω | MSR25 à couche métallique ±1% ¼Watts | |
| R21 | 1,5kΩ | PR02 à couche métallique ±5% 3W | |
| R22 | 3,9Ω | MSR25 à couche métallique ±1% ¼Watts | |
| P1 | 220Ω | tolérance: ±10%, puissance: 0,5W, Horizontal 25 tours type 67X ou T93XA ou série 4290 | |
| P2 | 220Ω | tolérance: ±10%, puissance: 0,5W, Horizontal 25 tours type 67X ou T93XA ou série 4290 | |
| C1 | 100pF | 500V, radial, pas : 6mm, Tolérance : 1%, MICA argenté 1% | |
| C2 | 220nF | MKS : Polyester de WIMA radial | |
| C3 | 220nF | MKS : Polyester de WIMA radial | |
| C4 | 10pF | 500V, radial, pas : 6mm, Tolérance : 0,5pF, MICA argenté 1% | |
| C5 | 10pF | 500V, radial, pas : 6mm, Tolérance : 0,5pF, MICA argenté 1% | |
| C6 | 3,9µF | 63V, radial, pas : 22,5mm, Tolérance : 10%, MKC : Polycarbonate | |
| C7 | 3,9µF | 63V, radial, pas : 22,5mm, Tolérance : 10%, MKC : Polycarbonate | |
| C8 | 220µF | 63V CO37 radial | |
| C9 | 220µF | 63V CO37 radial | |
| DZ1 | BZX 85C10 | 1,3W, Tolérance: 5%, DO41 | |
| DZ2 | BZX 85C10 | 1,3W, Tolérance: 5%, DO41 | |
| T1 | 2SK170 | MOS FET N–CHANNEL TOSHIBA TO-92 | |
| T2 | 2SJ74 | MOS FET P–CHANNEL TOSHIBA TO-92 | |
| T3 | BC550C | bipolaire NPN MOTOROLA TO-92 | |
| T4 | BC560C | bipolaire PNP MOTOROLA TO-92 | |
| T5 | 2SJ77 ou 2SJ78 ou 2SJ79 | MOS FET P–CHANNEL HITACHI TO-220AB | |
| T6 | 2SK214 ou 2SK215 ou 2SK216 | MOS FET N–CHANNEL HITACHI TO-220AB | |
| T7 | 2SK1058 | MOS FET N–CHANNEL HITACHI TO-3P | |
| T8 | 2SK1058 | MOS FET N–CHANNEL HITACHI TO-3P | |
| T9 | 2SK1058 | MOS FET N–CHANNEL HITACHI TO-3P | |
| T10 | 2SJ162 | MOS FET P–CHANNEL HITACHI TO-3P | |
| T11 | 2SJ162 | MOS FET P–CHANNEL HITACHI TO-3P | |
| T12 | 2SJ162 | MOS FET P–CHANNEL HITACHI TO-3P |
•Le circuit imprimé pour la réalisation d'un amplificateur Grand Mos :
Le circuit imprimé double face avec trous métallisés, sérigraphié et verni.
•Implantation des composants pour la réalisation d'un amplificateur Grand Mos :
à voir.
•Les réglages du Grand Mos :
Avant la mise sous tension tourner les ajustables P1 et P2 à fond dans le sens anti-horaire (position minimum du courant de repos).
Placer une charge résistive de 8Ω (pas d'enceinte) et court-circuiter l'entrée BF.
Le réglage consiste à avoir une tension d'offset le plus près possible de 0V en tout cas inférieur à 50mV tout en ayant un courant de repos de ≈320mA.
Laissez refroidir l'appareil et refaites une mesure du courant de repos, environ ≈320mA c'est bon.
•Schéma du Buzquito :
Le schéma ci-dessous est un amplificateur audio de classe AB, il utilise en sortie un push–pull constitué de MOS FET de 250W de chez Magnatec société du groupe SEMELAB.
•Nomenclature des composants pour la réalisation d'un amplificateur Buzquito :
Je vous conseille, avant même d'acheter le circuit imprimé que je vous propose, d'acquérir l'intégralité des composants électroniques.
| ID | Valeur | Complément | |
|---|---|---|---|
| R1 | strap 0Ω | ||
| R2 | 47KΩ | MSR25 à couche métallique ±1% ¼Watts | |
| R3 | 1,5KΩ | MSR25 à couche métallique ±1% ¼Watts | |
| R4 | 1,5KΩ | MSR25 à couche métallique ±1% ¼Watts | |
| R5 | 8,2kΩ | PR02 à couche métallique ±5% 3W | |
| R6 | 8,2kΩ | PR02 à couche métallique ±5% 3W | |
| R9 | 100Ω | MSR25 à couche métallique ±1% ¼Watts | |
| R10 | 100Ω | MSR25 à couche métallique ±1% ¼Watts | |
| R11 | 68Ω | MSR25 à couche métallique ±1% ¼Watts | |
| R12 | 68Ω | MSR25 à couche métallique ±1% ¼Watts | |
| R13 | 10kΩ | MSR25 à couche métallique ±1% ¼Watts | |
| R14 | strap 0Ω | ||
| R14' | strap 0Ω | ||
| R15 | 470Ω | MSR25 à couche métallique ±1% ¼Watts | |
| R16 | n'existe pas | ||
| R17 | 470Ω | MSR25 à couche métallique ±1% ¼Watts | |
| R18 | 470Ω | MSR25 à couche métallique ±1% ¼Watts | |
| R19 | n'existe pas | ||
| R20 | 470Ω | MSR25 à couche métallique ±1% ¼Watts | |
| R21 | 1,5kΩ | PR02 à couche métallique ±5% 3W | |
| R22 | 47Ω | MSR25 à couche métallique ±1% ¼Watts | |
| P1 | 220Ω | tolérance: ±10%, puissance: 0,5W, Horizontal 25 tours type 67X ou T93XA ou série 4290 | |
| P2 | 220Ω | tolérance: ±10%, puissance: 0,5W, Horizontal 25 tours type 67X ou T93XA ou série 4290 | |
| C1 | 47pF | 500V, radial, pas: 6mm, Tolérance: 2%, MICA argenté 1% | |
| C2 | 1µF | 63V, radial, pas: 5mm, Tolérance: 10%, film polyester MKT-MKS-2 de Wima | |
| C3 | 1µF | 63V, radial, pas: 5mm, Tolérance: 10%, film polyester MKT-MKS-2 de Wima | |
| C4 | n'existe pas | ||
| C5 | n'existe pas | ||
| C6 | 1µF | 100V, radial, pas: 22,5mm, Tolérance: 10%, MKC: Polycarbonate | |
| C7 | 1µF | 100V, radial, pas: 22,5mm, Tolérance: 10%, MKC: Polycarbonate | |
| C8 | 100µF | 63V CO37 | |
| C9 | 100µF | 63V CO37 | |
| DZ1 | BZX 85C10 | 1,3W, Tolérance: 5%, DO41 | |
| DZ2 | BZX 85C10 | 1,3W, Tolérance: 5%, DO41 | |
| T1 | 2SK170 | FET N–CHANNEL TOSHIBA TO-92 | |
| T2 | 2SJ74 | FET P–CHANNEL TOSHIBA TO-92 | |
| T3 | BC546B | bipolaire NPN MOTOROLA TO-92 | |
| T4 | BC556B | bipolaire PNP MOTOROLA TO-92 | |
| T5 | 2N5416 | bipolaire PNP Fairchild, STMicroelectronics TO-39 | |
| T6 | 2N3440 | bipolaire NPN Fairchild, STMicroelectronics TO-39 | |
| T7 | BUZ900DP | MOS FET N–CHANNEL Magnatec société du groupe SEMELAB TO-3PBL | |
| T8 | n'existe pas | ||
| T9 | BUZ900DP | MOS FET N–CHANNEL Magnatec société du groupe SEMELAB TO-3PBL | |
| T10 | BUZ905DP | MOS FET P–CHANNEL Magnatec société du groupe SEMELAB TO-3PBL | |
| T11 | n'existe pas | ||
| T12 | BUZ905DP | MOS FET P–CHANNEL Magnatec société du groupe SEMELAB TO-3PBL |
•Le circuit imprimé pour la réalisation d'un amplificateur Buzquito :
Le circuit imprimé double face avec trous métallisés, sérigraphié et verni.
•Implantation des composants pour la réalisation d'un amplificateur Buzquito :
à voir.
•Les réglages du Buzquito :
Avant la mise sous tension tourner les ajustables P1 et P2 à fond dans le sens anti-horaire (position minimum du courant de repos).
Placer une charge résistive de 8Ω (pas d'enceinte) et court-circuiter l'entrée BF.
Le réglage consiste à avoir une tension d'offset le plus près possible de 0V en tout cas inférieur à 50mV tout en ayant un courant de repos de ≈320mA.
Laissez refroidir l'appareil et refaites une mesure du courant de repos, environ ≈320mA c'est bon.
•Schéma du Mosquito :
Le schéma ci-dessous est un amplificateur audio de classe AB, il utilise en sortie un push–pull constitué de MOS FET de 100W de chez HITACHI.
•Nomenclature des composants pour la réalisation d'un amplificateur Mosquito :
Je vous conseille, avant même d'acheter le circuit imprimé que je vous propose, d'acquérir l'intégralité des composants électroniques.
| ID | Valeur | Complément | |
|---|---|---|---|
| R1 | strap 0Ω | ||
| R2 | 47KΩ | MSR25 à couche métallique ±1% ¼Watts | |
| R3 | 1,5KΩ | MSR25 à couche métallique ±1% ¼Watts | |
| R4 | 1,5KΩ | MSR25 à couche métallique ±1% ¼Watts | |
| R5 | 8,2kΩ | PR02 à couche métallique ±5% 3W | |
| R6 | 8,2kΩ | PR02 à couche métallique ±5% 3W | |
| R9 | 100Ω | MSR25 à couche métallique ±1% ¼Watts | |
| R10 | 100Ω | MSR25 à couche métallique ±1% ¼Watts | |
| R11 | 68Ω | MSR25 à couche métallique ±1% ¼Watts | |
| R12 | 68Ω | MSR25 à couche métallique ±1% ¼Watts | |
| R13 | 10kΩ | MSR25 à couche métallique ±1% ¼Watts | |
| R14 | strap 0Ω | ||
| R14' | strap 0Ω | ||
| R15 | 470Ω | MSR25 à couche métallique ±1% ¼Watts | |
| R16 | 470Ω | MSR25 à couche métallique ±1% ¼Watts | |
| R17 | 470Ω | MSR25 à couche métallique ±1% ¼Watts | |
| R18 | 470Ω | MSR25 à couche métallique ±1% ¼Watts | |
| R19 | 470Ω | MSR25 à couche métallique ±1% ¼Watts | |
| R20 | 470Ω | MSR25 à couche métallique ±1% ¼Watts | |
| R21 | 1,5kΩ | PR02 à couche métallique ±5% 3W | |
| R22 | 47Ω | MSR25 à couche métallique ±1% ¼Watts | |
| P1 | 220Ω | tolérance: ±10%, puissance: 0,5W, Horizontal 25 tours type 67X ou T93XA ou série 4290 | |
| P2 | 220Ω | tolérance: ±10%, puissance: 0,5W, Horizontal 25 tours type 67X ou T93XA ou série 4290 | |
| C1 | 47pF | 500V, radial, pas: 6mm, Tolérance: 2%, MICA argenté 1% | |
| C2 | 1µF | 63V, radial, pas: 5mm, Tolérance: 10%, film polyester MKT-MKS-2 de Wima | |
| C3 | 1µF | 63V, radial, pas: 5mm, Tolérance: 10%, film polyester MKT-MKS-2 de Wima | |
| C4 | n'existe pas | ||
| C5 | n'existe pas | ||
| C6 | 1µF | 100V, radial, pas: 22,5mm, Tolérance: 10%, MKC: Polycarbonate | |
| C7 | 1µF | 100V, radial, pas: 22,5mm, Tolérance: 10%, MKC: Polycarbonate | |
| C8 | 100µF | 63V CO37 | |
| C9 | 100µF | 63V CO37 | |
| DZ1 | BZX 85C10 | 1,3W, Tolérance: 5%, DO41 | |
| DZ2 | BZX 85C10 | 1,3W, Tolérance: 5%, DO41 | |
| T1 | 2SK170 | FET N–CHANNEL TOSHIBA TO-92 | |
| T2 | 2SJ74 | FET P–CHANNEL TOSHIBA TO-92 | |
| T3 | BC546B | bipolaire NPN MOTOROLA TO-92 | |
| T4 | BC556B | bipolaire PNP MOTOROLA TO-92 | |
| T5 | 2N5416 | bipolaire PNP STMicroelectronics TO-39 | |
| T6 | 2N3440 | bipolaire NPN STMicroelectronics TO-39 | |
| T7 | 2SK1058 | MOS FET N–CHANNEL HITACHI TO-3P | |
| T8 | 2SK1058 | MOS FET N–CHANNEL HITACHI TO-3P | |
| T9 | 2SK1058 | MOS FET N–CHANNEL HITACHI TO-3P | |
| T10 | 2SJ162 | MOS FET P–CHANNEL HITACHI TO-3P | |
| T11 | 2SJ162 | MOS FET P–CHANNEL HITACHI TO-3P | |
| T12 | 2SJ162 | MOS FET P–CHANNEL HITACHI TO-3P |
•Le circuit imprimé pour la réalisation d'un amplificateur Mosquito :
Le circuit imprimé double face avec trous métallisés, sérigraphié et verni.
•Implantation des composants pour la réalisation d'un amplificateur Mosquito :
à voir.
•Les réglages du Mosquito :
Avant la mise sous tension tourner les ajustables P1 et P2 à fond dans le sens anti-horaire (position minimum du courant de repos).
Placer une charge résistive de 8Ω (pas d'enceinte) et court-circuiter l'entrée BF.
Le réglage consiste à avoir une tension d'offset le plus près possible de 0V en tout cas inférieur à 50mV tout en ayant un courant de repos de ≈320mA.
Laissez refroidir l'appareil et refaites une mesure du courant de repos, environ ≈320mA c'est bon.
Merci d'avoir pris le temps de me lire.
A bientôt.
Dφ